特許
J-GLOBAL ID：200903055542563782
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201993
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト孔部において発塵を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に形成された絶縁膜4にコンタクト孔5を形成し、さらにスパッタエッチングを施しコンタクト孔5開口部の角にテーパ形状12を形成し、コリメーションスパッタ法によって全面にTi膜6およびTiN膜7を形成し、その後全面にブランケットCVD法によりW膜10を形成する。【効果】 コンタクト孔開口部においてTiN膜が薄膜化するのを防止でき、TiN膜の剥離を防止できる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜と、この絶縁膜に形成されたコンタクト孔とを有し、上記コンタクト孔が、上記絶縁膜の下部における径より上記絶縁膜上面につながる部分の径が大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
