特許
J-GLOBAL ID：200903055604527982
気相薄膜成長装置及びそれを用いた気相薄膜成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323865
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145066
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 膜の全面にわたって電気特性等の物性の均一なCVD膜、エピタキシャル膜等の積層膜を得ることのできる改良された気相薄膜成長装置、及びそれを用いた気相薄膜成長方法を提供する。【解決手段】 前記反応炉には、ウエハホルダー5上面より下方であって、かつ排気口7より上方に位置して、排出ガスを整流する整流板10A、10Bが設けられている。炉内頂部供給口から整流板3を経由して反応ガスをキャリアガスと共に流下させ、ウエハホルダー5上面の座内に載置されたウエハ基体4を加熱下に、ホルダー5と共に回転させながら、その表面に薄膜を気相成長させると共に未反応ガスを含む排ガスを排出ガス整流板10A、10Bを経由して底部排気口7から排出する。
請求項（抜粋）：
頂部に配置された反応ガス供給口と、底部あるいは底部近傍に配置された排気口と、その内部上部の供給口下部に配置され、反応ガスを整流する整流板と、その下方に配置され、ウエハ基体をその上面に載置すると共に、その上面周縁から下方に延びる側壁面とを有し、かつ回転軸を中心に回転可能に形成されたウエハホルダーと、前記ウエハホルダー上のウエハ基体を加熱する加熱用ヒーターとを備え、供給口より内部に反応ガスを供給し、ウエハ基体をウエハホルダーと共に回転させながら、加熱下に、その表面に薄膜を気相成長させ、未反応ガスを含む排ガスを排気口から排出する反応炉からなる気相薄膜成長装置において、前記反応炉には、ウエハホルダー上面より下方であって、かつ排気口より上方に位置して、排出ガスを整流する整流板が設けられていることを特徴とする気相薄膜成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
H01L 21/205
, H01L 21/22 511 S
