特許
J-GLOBAL ID：200903055607350862
多結晶薄膜とその製造方法およびこれを用いた酸化物超電導導体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
志賀 正武 (外3名)
, 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338730
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152324
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：
【要約】【課題】 結晶配向性に優れた多結晶薄膜B、特に、化学反応安定性が高く、高温等の加熱処理においても、結晶配向性が乱れることのない安定な多結晶薄膜Bを得、優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を得る。【解決手段】 基材Aの成膜面と平行な面に沿う多結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、30度以下に形成されてなる酸化ハフニウムの多結晶薄膜Bを提供する。また、酸化ハフニウムを主構成成分とする結晶体をターゲットとし、このターゲットから発生させた粒子を、イオンソースから発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して50〜60度の入斜角度で斜め方向から照射しながら、多結晶体の金属からなる基材A上に堆積させて成膜する多結晶薄膜の製造方法を提供する。さらに、上記多結晶薄膜を中間層に用いた酸化物超電導導体を提供する。
請求項（抜粋）：
多結晶体からなる金属基材上に形成された多数の結晶粒が結晶粒界を介して結合されてなる酸化ハフニウムの多結晶薄膜であって、基材の成膜面と平行な面に沿う多結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、30度以下に形成されてなることを特徴とする多結晶薄膜。
IPC (3件)：
C23C 14/08
, C23C 14/46
, H01L 39/24 ZAA
C23C 14/08 F
, C23C 14/46 Z
, H01L 39/24 ZAA B
4K029AA02
, 4K029BA43
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BB08
, 4K029BC04
, 4K029CA05
, 4K029CA15
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC37
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113AD68
, 4M113BA04
, 4M113CA34
, 4M113CA35
, 4M113CA36
