特許

J-GLOBAL ID：200903055616476615

シリコンウェーハの熱処理方法

発明者： 室井 幸男 ,  塩多 孝明 ,  柴崎 英明 ,  栗田 一成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331700
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217251
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 IG効果を発揮するウェーハを得る。【解決手段】 格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域[I]に隣接しかつ点欠陥凝集体が存在しない領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域[V]に隣接しかつ領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、[PV]と[PI]の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.8×1018〜1.4×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるウェーハを窒素、アルゴン、水素、酸素又はこれらの混合ガス雰囲気下で室温から1150〜1200°Cまで10〜150°C/秒で昇温し、1150〜1200°Cで0〜30秒間保持し、続いて窒素雰囲気下、700〜800°Cで4〜5時間保持し、更に酸素雰囲気下、1000°Cで16時間保持する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を[I]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を[V]とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記パーフェクト領域[P]からなるインゴットから切出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの熱処理方法であって、前記領域[I]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、前記領域[V]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、前記領域[PV]と領域[PI]の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.8×1018〜1.4×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記インゴットから切出されたシリコンウェーハを窒素、アルゴン、水素、酸素又はこれらの混合ガス雰囲気下で室温から1150〜1200°Cまで10〜150°C/秒の昇温速度で加熱し、1150〜1200°Cで0〜30秒間保持することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  C30B 29/06

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X ,  C30B 29/06 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイス用シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-068218   出願人：昭和電工株式会社
• ホットゾーンでの引上速度プロファイルを調節して単結晶シリコンインゴット及びウェーハを製造する方法、それによって製造されるインゴット及びウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-030682   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド