特許
J-GLOBAL ID：200903050547310570
ホットゾーンでの引上速度プロファイルを調節して単結晶シリコンインゴット及びウェーハを製造する方法、それによって製造されるインゴット及びウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030682
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001393
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、微小電子(microelectronic)素子製造方法及び装置に関するもので、より詳しくはシリコンインゴット製造方法及びそれによって製造されたシリコンインゴット及びウェーハに関するものである。【解決手段】 シリコンインゴットがインタースチシャル固まりを防止できるくらい十分高いが、べーカンシー固まりをべーカンシー豊富領域内に制限できるくらい十分低いインゴットの引上速度プロファイルで、ホットゾーン炉内の溶融物からインゴットを軸方向に引上させることで製作される。このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域と、べーカンシー豊富領域とウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域を有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハにスライシングされる。
請求項（抜粋）：
インタースチシャル固まりを防止することができるように十分高いが、べーカンシー固まりをインゴットの軸方向に沿ってべーカンシー豊富領域内に制限させることができるように十分に低い引上速度(pull rate)プロファイルでホットゾーン炉内のシリコン溶融物からインゴットを軸方向に引上げる段階を備えることを特徴とするホットゾーン炉でのシリコンインゴット製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
, H01L 21/208 P
