特許

J-GLOBAL ID：200903055629941864

反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリ

発明者： 李 元仁 ,  陳 永祥 ,  陳 威全 ,  高 明哲 ,  王 連昌
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 北村 周彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-199029
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148053
出願日： 2005年07月07日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】 反転に必要な磁場を低下させる磁気抵抗メモリは、強磁性自由層の反転磁場を降下させる利点を有すると共に、データを書き込む際の電流を低下させる。【解決手段】 本発明に係る、反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリは、第一反強磁性層と、第一反強磁性層上に形成される固定層と、固定層上に形成されるトンネルバリア層と、トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、強磁性自由層上に形成される多層構造金属層とを含む。多層構造金属層は一層以上の金属により積層され、多層構造金属層に位置する強磁性層、反強磁性層の磁化容易軸方向及び強磁性自由層の磁化容易軸方向が直交するように形成させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一反強磁性層と、 前記第一反強磁性層上に形成される固定層と、 前記固定層上に形成されるトンネルバリア層と、 前記トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、 前記強磁性自由層上に形成される多層構造金属層と、を含むことを特徴とする反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• アメリカ特許第6728132号公報
  

審査官引用 (2件)

• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248297   出願人：三洋電機株式会社
• 磁気抵抗デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-369692   出願人：日本電気株式会社