特許
J-GLOBAL ID：200903088677472901

磁気抵抗デバイス及びその製造方法

発明者：
福本 能之

福本 能之 について

, 
志村 健一

志村 健一 について

, 
上條 敦

上條 敦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-369692
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172599
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】 磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する導体(例えば,ビア及び配線)と,磁気抵抗素子を構成する層との間の相互拡散を防止することにより,磁気抵抗素子の熱的安定性を,一層に向上する技術を提供する。【解決手段】 本発明による磁気抵抗デバイスは,反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層(10)と,固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層(8)と,自由強磁性層(10)と固定強磁性層(8)との間に介設されたトンネル絶縁層(9)を含む磁気抵抗素子(4)と,磁気抵抗素子(4)を他の素子に電気的に接続する非磁性の導体(2,3,11)と,導体(2,3,11)と磁気抵抗素子(4)との間に設けられた拡散防止構造体(13,14)とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層と,固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層と,前記自由強磁性層と前記固定強磁性層との間に介設されたトンネル絶縁層を含む磁気抵抗素子と, 前記磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する非磁性の導体と, 前記導体と前記磁気抵抗素子との間に設けられた拡散防止構造体 とを備えた 磁気抵抗デバイス。
IPC (1件)：
H01L43/08
FI (1件)：
H01L43/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (10件)
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