特許
J-GLOBAL ID：200903055638970664

半導体装置の製造方法

発明者：
酒井 泰治

酒井 泰治 について

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水越 正孝

水越 正孝 について

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早坂 昇

早坂 昇 について

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手代木 和雄

手代木 和雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-260852
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084951
出願日： 2006年09月26日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】半導体基板と回路基板との接合を確実に達成する。【解決手段】一対の基板を構成する半導体基板と回路基板との各表面にそれぞれ形成された電極の間に絶縁材料が埋め込まれて、絶縁材料が接着性を発現する第1の温度にて、半導体基板が回路基板に対して傾けられ、仮固定されて、仮固定した複数の一対の基板が真空引きされて、仮固定した複数の一対の基板の表面に均等に圧力を加えて、一対の基板を接合し、圧力を維持するとともに、絶縁材料が硬化する第2の温度にて、接合された絶縁材料が硬化させられて、電極同士が固相拡散を発現もしくは電極同士が融解する第3の温度にて、接合された電極間に金属接合が形成されるようになる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フリップチップ構造を有する半導体装置の製造方法において、 一対の基板を構成する半導体基板と回路基板との各表面にそれぞれ形成された電極の間を絶縁材料にて埋め込む工程と、 前記絶縁材料が接着性を発現する第1の温度にて、前記半導体基板を前記回路基板に対して傾けて、仮固定する工程と、 仮固定した複数の前記一対の基板を真空引きする工程と、 仮固定した複数の前記一対の基板の表面に均等に圧力を加えて、前記一対の基板を接合し、前記圧力を維持するとともに、前記絶縁材料が硬化する第2の温度にて、接合された前記絶縁材料を硬化させる工程と、 前記電極同士が固相拡散を発現もしくは前記電極同士が融解する第3の温度にて、接合された前記電極間に金属接合を形成させる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (1件)：
H01L21/60 311S
Fターム (11件)：
5F044KK02 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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