特許
J-GLOBAL ID:200903081164591579
半導体装置の実装方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-091652
公開番号(公開出願番号):特開2001-284399
出願日: 2000年03月29日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】ベアチップを実装用基板に実装するための、圧接工法を採用したフリップチップ方式の実装方法であって、チップと基板との間に充填された封止樹脂にボイドの発生のない、接続の信頼性に優れた実装方法を提供する。【解決手段】チップ1を実装用基板3のチップ搭載領域に予め供給された封止用の樹脂5に接触させる際、チップ1の面と実装用基板3との間に角度を持たせた状態で、最初にチップ1の一辺を樹脂5に接触させ、その後、チップ1の面と実装用基板3の面とのなす角度を漸次減少させて、チップ1と樹脂5との接触面積を漸増させていく。樹脂5の表面の窪みに当初溜まっていてボイドの原因となる空気は、チップ1と基板3とのなす角が漸減するに従って、次第に追い出されてゆき、チップ1と基板3とが平行に戻った時点で、樹脂5の空気溜りは解消している。
請求項(抜粋):
バンプ電極を備えるベアチップをパッド電極を備える実装用基板に実装するための、圧接工法を採用したフリップチップ方式の半導体装置の実装方法において、前記ベアチップを前記実装用基板のチップ搭載領域に予め供給された封止用の樹脂に接触させる際、前記ベアチップの面と前記実装用基板の面との間に角度を持たせた状態で、最初に前記ベアチップのバンプ電極形成面内の一点又は一直線を前記樹脂に接触させた後、前記ベアチップの面と実装用基板の面とのなす角度を漸次減少させて、ベアチップと樹脂との接触面積を漸増させて行くことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 311
, H05K 3/32
FI (2件):
H01L 21/60 311 S
, H05K 3/32 Z
Fターム (9件):
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC01
, 5E319CC61
, 5E319CD04
, 5E319GG20
, 5F044LL01
, 5F044LL04
, 5F044RR19
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平3-233944
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特開平2-181447
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フリップチップのボンディング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-273170
出願人:松下電器産業株式会社
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