特許

J-GLOBAL ID：200903055641837606

波長変換素子の製造方法

発明者： 横川 弘
出願人/特許権者： 京セラキンセキ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-347036
公開番号（公開出願番号）：特開2006-154501
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】従来の水晶基板を用いた波長変換素子の製造方法では、ホットプレス法を用い、双晶を水晶基板内に周期的作製するために、高温(300°C〜400°C)、高圧(約数kN)を水晶基板に加える装置が必要となり、その装置は非常に巨大な装置と成ってしまう。又、その作業効率も悪い。【解決手段】高周波基本波水晶振動板の製造方法において、基板上にバッファ層を形成し、その上に第1の水晶薄膜をエピタキシャル成長させる工程と、第1の水晶薄膜上全面にレジスト膜等を形成し、フォトリソグラフィ法でレジスト膜を所望の形状にする工程と、レジスト膜等の上から第2の水晶薄膜をエピタキシャル成長させる工程と、レジスト膜を第2の水晶薄膜ごと除去する工程と、第1の水晶薄膜及び第2の水晶薄膜上に、個々の水晶素板に合うよう各種電極膜を形成し、その後所望の位置で切断し、複数個の高周波基本波水晶振動板を製造する方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

水晶基板中に相転移型双晶を周期的に形成し、該水晶基板の一端から入射した光を、該水晶基板中を通過させることによって該光の波長変換を行う波長変換素子の製造方法において、 気相成長法で層形成用基板上に水晶膜を積層にエピタキシャル成長させる製造装置を用い、 該製造装置内の結晶層形成室内に配置した層形成用基板上に透明な第1のバッファ層を形成し、該第1のバッファ層の上に所望の極性の第1の水晶層を所望の厚みでエピタキシャル成長させる工程Aと、 該第1の水晶層の上に透明な第2のバッファ層を形成し、該第2のバッファ層の上に該第1の水晶層とは極性の異なる第2の水晶層を所望の厚みでエピタキシャル成長させる工程Bと、 該工程Bで形成した該第2の水晶層の上に、該工程Aで形成した該第1のバッファ層及び該第1のバッファ層の上に該第1の水晶層をと、該工程A及びBにおけるバッファ層と水晶層の形成を交互に繰り返して極性の異なる水晶層を積層し、該所望の段数の相転移型双晶による水晶層積層体を該層形成用基板上に形成する工程と、 該層形成用基板上に形成した該水晶層積層体を該薄膜成長室より取り出し、該水晶層積層体を該層形成用基板から外し、該水晶薄膜積層体を薄膜の積層方向に対し直角に切断し、切断して得た該水晶基板を更に所望の外形形状に加工する工程と を備えたことを特徴とする波長変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

G02F 1/37

FI (1件)：

G02F1/37

Fターム (8件)：

2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA02 ,  2K002CA13 ,  2K002CA22 ,  2K002DA01 ,  2K002FA22 ,  2K002HA18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 波長変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276000   出願人：株式会社ニコン, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 水晶基板及び押圧装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276001   出願人：株式会社ニコン, 独立行政法人物質・材料研究機構