特許

J-GLOBAL ID：200903055648732656

記憶素子

発明者： 大森 広之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264421
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080385
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 小さい電流で情報を記録することができ、かつ記録された情報を長期間保持することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17と、この記憶層17に対して非磁性層16を介して設けられた磁化固定層21とを少なくとも有し、非磁性層16を通じて、記憶層17と磁化固定層21との間に電流を流すことにより情報の記録が行われ、記憶層17がFe,Co,Niから選ばれる少なくとも1種の元素とGdとを含有する記憶素子10を構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 前記記憶層に対して非磁性層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを少なくとも有し、 前記非磁性層を通じて、前記記憶層と前記磁化固定層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶層が、Fe,Co,Niから選ばれる少なくとも1種の元素と、Gdとを含有する ことを特徴とする記憶素子。

IPC (8件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (8件)：

H01L27/10 447 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

Fターム (11件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (3件)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203934   出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-529474   出願人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
• 磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-295709   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (2件)

• 磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-295709   出願人：キヤノン株式会社
• 非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-529474   出願人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク