プラズマCVD装置及びそれを用いた多層薄膜形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083697
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158642
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】この発明は、大量基板同時形成で、アモルファす半導体膜の高速形成を実現できるプラズマCVD装置を提供することを目的とする。【解決手段】この発明のプラズマCVD装置は、一つの反応室において複数の基板上に膜形成を行うプラズマCVD装置において、平行平板方式で、プラズマを生成するためのカソード電極11とアノード電極12からなる電極対1が3つ以上含まれる電極群を備え、各電極対の中間面が実質的に放射状に配置される。

請求項（抜粋）：

一つの反応室において複数の基板上に膜形成を行うプラズマCVD装置において、平行平板方式で、プラズマを生成するためのカソードとアノードからなる電極対が3つ以上含まれる電極群を備え、各電極対の中間面が実質的に放射状に配置されたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-020470
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-014557 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-080369

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審査官引用 (4件)

特開平3-020470
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-014557 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-080369

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