特許
J-GLOBAL ID：200903055650972524

半導体記憶装置

発明者：
沖本 裕美

沖本 裕美 について

, 
赤松 宏

赤松 宏 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035151
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 セルプレート電圧VCPの電圧上昇を防止することができる、DRAMで構成された半導体記憶装置を得る。【解決手段】 リフレッシュ動作時等におけるセルプレート電圧VCPの上昇を、電源電圧Vccの1/2の値にクランプするVCPクランプ回路9を設けた。
請求項（抜粋）：
DRAMの複数のメモリセルで構成されるメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置において、各メモリセルに対する所定のセルプレート電圧を生成して出力するセルプレート電圧発生回路部と、該セルプレート電圧の上昇に対してセルプレート電圧を所定値にクランプするクランプ回路部と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/404 ,  G11C 11/409
FI (2件)：
G11C 11/34 352 D ,  G11C 11/34 353 F
Fターム (5件)：
5B024AA03 ,  5B024BA01 ,  5B024BA07 ,  5B024CA07 ,  5B024DA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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