特許
J-GLOBAL ID:200903055652857013
光電変換膜積層型カラー固体撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-308277
公開番号(公開出願番号):特開2006-120922
出願日: 2004年10月22日
公開日(公表日): 2006年05月11日
要約:
【課題】 光電変換膜における光電変換特性の直線性が良好なCCD型の信号読出回路を持つハイブリッド型の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置を提供する。【解決手段】 3原色のうちの第1色入射光を受光して信号電荷を発生させる第1光電変換素子と第2色入射光を受光して信号電荷を発生させる第2光電変換素子と第3色入射光の光量に応じた信号電荷を蓄積する第3色信号電荷蓄積部131と各信号電荷を転送する垂直転送路124とが形成された半導体基板120と、半導体基板120の上に積層され第3色入射光を受光して信号電荷を発生させる光電変換膜140と、光電変換膜140に被着された画素電極膜141と第3色信号電荷蓄積部131とを接続する縦配線147と、縦配線147の半導体基板120へのコンタクト部128と第3色信号電荷蓄積部131との間に設けた電位障壁部130とを備える。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
3原色のうちの第1色入射光を受光して信号電荷を発生させる第1光電変換素子と第2色入射光を受光して信号電荷を発生させる第2光電変換素子と第3色入射光の光量に応じた信号電荷を蓄積する第3色信号電荷蓄積部と前記各信号電荷を転送する垂直転送路とが形成された半導体基板と、該半導体基板の上に積層され前記第3色入射光を受光して信号電荷を発生させる光電変換膜と、該光電変換膜に被着された画素電極膜と前記第3色信号電荷蓄積部とを接続する縦配線と、該縦配線の前記半導体基板へのコンタクト部と前記第3色信号電荷蓄積部との間に設けた電位障壁部とを備えることを特徴とする光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
IPC (3件):
H01L 27/146
, H04N 5/335
, H01L 31/10
FI (3件):
H01L27/14 E
, H04N5/335 F
, H01L31/10 D
Fターム (28件):
4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA08
, 4M118BA13
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118CA32
, 4M118DA03
, 4M118FA06
, 4M118FA13
, 4M118FA35
, 4M118GC07
, 5C024AX01
, 5C024CX37
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024EX52
, 5C024GX03
, 5C024GX12
, 5C024GY01
, 5C024JX21
, 5F049MA02
, 5F049NA04
, 5F049NB05
, 5F049QA07
, 5F049QA20
, 5F049RA02
, 5F049TA13
引用特許: