特許
J-GLOBAL ID：200903055669130249

半導体装置及びその製造方法

発明者：
伊藤 信和

伊藤 信和 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308445
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 接続孔の開口のための過剰エッチングにより、第2層目配線に膜厚の薄い部分が発生したり、断線が発生する場合がある。【解決手段】 第1の絶縁膜11上に形成された第1層目配線13は、第2の絶縁膜14を挟んで形成された第2層目配線17と、接続孔15に充填された導電性充填部材16を介して電気的に接続されている。接続孔15は、第1層目配線13及び第2層目配線17の配線幅より開口径が大きく形成されており、底面が第1層目配線13の上表面より下に位置しているため、接続孔15内部の第1層目配線13は、側壁の一部あるいは全部が露出している。従って、接触面積が大きくなるため、接続部での接触抵抗を低くすることができる。また、接続孔15内部が導電性充填部材16で埋設されていることにより、従来の埋設を行わない構造に比べると、段差被覆性の影響を受けない。
請求項（抜粋）：
第1層目配線と、前記第1層目配線上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜に開口される接続孔と、前記絶縁膜上に形成され前記接続孔を介して前記第1層目配線と電気的に接続される第2層目配線を有する半導体装置において、前記接続孔は、前記第1層目配線及び第2層目配線の各配線幅よりも大きな開口径で、かつ、この接続孔の底面が前記第1層目配線の上表面より下に位置する深さで形成されると共に、前記接続孔が導電性充填部材により埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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