特許

J-GLOBAL ID：200903055676370859

有機半導体の積層

発明者： マラジヨビチ,イリナ
出願人/特許権者： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-521198
公開番号（公開出願番号）：特表2006-528430
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

可撓性ポリマー基板上へのトランジスタ製造のために、低温且つ雰囲気圧のプロセスが望まれる。半導体の積層は、このようなプロセスである。この半導体は、ドナー基板上に堆積される。このドナーは、レシーバ基板の上で位置決めされ、このレシーバ基板は、追加のトランジスタ素子でパターン形成されてもよい。この半導体は、積層によってドナーからレシーバに転写される。

請求項（抜粋）：

a)ドナー基板上に有機半導体を堆積させ、 b)前記ドナー基板上の前記有機半導体をレシーバ基板と積層し、 c)前記ドナー基板を除去すること、 を含んでなる方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/78 618A

Fターム (10件)：

5F110AA17 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-323148   出願人：シャープ株式会社
• 米国特許第6,197,663号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 有機EL素子の製造方法および有機EL転写体と被転写体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-387199   出願人：大日本印刷株式会社
• 転写材料及び有機薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-058834   出願人：富士写真フイルム株式会社
• トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-369218   出願人：シャープ株式会社