特許
J-GLOBAL ID：200903099414520857

有機EL素子の製造方法および有機EL転写体と被転写体

発明者：
岸 本 比呂志

岸 本 比呂志 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187972
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 比較的低温の転写により簡易に高品質の有機EL素子を製造する方法と、これに用いる有機EL転写体、被転写体の提供。【解決手段】 支持体と前記支持体上に剥離可能に形成されている発光層とを少なくとも有する転写体と、基体と前記基体上に形成されている電極とを少なくとも有する被転写体とを用いて、前記転写体の前記発光層側と、前記被転写体の前記電極側とを重ね合わせ、前記転写体から少なくとも前記発光層を前記被転写体上に部分的に転写する工程を有する有機EL素子の製造方法であって、前記転写体の前記被転写体に接する層、または、前記被転写体の前記転写体に接する層の少なくとも一方に、接着性向上物質が含まれる方法。
請求項（抜粋）：
支持体と前記支持体上に剥離可能に形成されている発光層とを少なくとも有する転写体と、基体と前記基体上に形成されている電極とを少なくとも有する被転写体、とを用いて、前記転写体の前記発光層側と、前記被転写体の前記電極側とを重ね合わせ、前記転写体から少なくとも前記発光層を前記被転写体上に部分的に転写する工程を有する有機EL素子の製造方法であって、前記転写体の前記被転写体に接する層、または、前記被転写体の前記転写体に接する層の少なくとも一方に、接着性向上物質が含まれてなることを特徴とする、有機EL素子の製造方法。
IPC (2件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (5件)：
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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