エアロゲルの製造法と装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562303
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521302
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】基板上へのエアロゲル膜製造法において、ケイ酸塩、金属アルコラート、アルミン酸塩、ホウ酸塩を含む物質群からの少なくとも一つの物質を液ゾルを形成する溶媒と混合する先駆物質を用意する。この先駆物質またはそれから形成された液ゾルを基板上に塗布する。溶媒が液状で存在する温度を選択することで、この液ゾルからゲルが形成される。続いて0.5〜2バールの圧力で温度を、溶媒が固体状態へ移行する点以下へ約3〜70K、好ましくは5〜15K下げる。続いて溶媒を、乾燥室で減圧下三重点以下でガス状に移行させ、ゲル膜から除去し、ガス状溶媒を乾燥室から排出する。特に先駆物質として、TEOSとt-ブタノールと水から成る混合物を用意する。この混合物に、加水分解反応と重縮合反応を促進するために触媒水溶液を添加する。基板上に塗布する前に好ましくは粘性が上がる予備ゲル化が起こり、それにより膜を回転塗布で塗布することができる。

請求項（抜粋）：

a)ケイ酸塩、金属アルコラート、アルミン酸塩、ホウ酸塩を含む物質群からの少なくとも一つの物質を液ゾルを形成する溶媒と混合する先駆物質を用意し、b)この先駆物質またはそれから形成された液ゾルを基板上に塗布し、c)溶媒が液状で存在する温度を選択して液ゾルからゲルを形成し、d)続いて0.5〜2バールの圧力で、溶媒が固体の状態へ移行する点以下へ、約3〜70K、好ましくは5〜15K温度を下げ、e)続いて乾燥室内で減圧下溶媒を三重点以下でガス状へ移行させ、ゲル膜から除去し、ガス状溶媒を乾燥室から排出する基板上のエアロゲル膜製造法。

IPC (4件)：

C01B 13/32 , B01J 13/00 , C01B 33/12 , C01B 33/158

FI (4件)：

C01B 13/32 , B01J 13/00 G , C01B 33/12 C , C01B 33/158

Fターム (33件)：

4G042DA01 , 4G042DB01 , 4G042DB22 , 4G042DB24 , 4G042DD02 , 4G042DE09 , 4G042DE14 , 4G065AA02 , 4G065AA05 , 4G065AB03X , 4G065BB01 , 4G065BB07 , 4G065CA30 , 4G065DA09 , 4G065EA05 , 4G065FA01 , 4G072AA28 , 4G072BB09 , 4G072CC08 , 4G072EE01 , 4G072EE06 , 4G072HH18 , 4G072HH19 , 4G072HH24 , 4G072HH30 , 4G072JJ30 , 4G072LL11 , 4G072MM31 , 4G072NN21 , 4G072PP03 , 4G072QQ07 , 4G072RR05 , 4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (2件)

疎水性エアロゲルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-255085 出願人：松下電工株式会社
エアロゲルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-209561 出願人：松下電工株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

FABRICATION OF SiO2 BASED NANOPOROUS AEROGEL THIN FILMS FOR ADVANCED IC METALLIZATION

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