特許

J-GLOBAL ID：200903055716485719

低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法

発明者： 仁道 正明 ,  碓井 彰 ,  望月 康則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007298
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199758
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 結晶成長後の熱処理などの工程を用いずに、量産性に優れた気相成長方法を得ること。【解決手段】 結晶成長終了直後の前記基板結晶の温度が摂氏700度以上であり、かつ結晶成長終了後の前記基板結晶の摂氏700度以下での冷却を、水素を含まないキャリアガスの雰囲気中で行う。

請求項（抜粋）：

水素、窒素等のキャリアガス中に、III 属元素化合物の原料ガスと窒素化合物の原料ガスとp型ドーパントガスとを希釈して加熱した基板結晶上に、p型窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程を含む気相成長方法において、結晶成長終了直後の前記基板結晶の温度が摂氏700度以上であり、かつ結晶成長終了後の前記基板結晶の摂氏700度以下での冷却を、前記水素を除いたキャリアガスの雰囲気中で行うことを特徴とする低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-043581   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-327259   出願人：株式会社東芝