特許
J-GLOBAL ID：200903055755954238

半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板

発明者：
松本 美幸

松本 美幸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182220
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022027
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 BGAにおいてハンダボールの密着性が加熱工程で低下する。【解決手段】 パッケージ用基板22の裏面に設けた外部端子体、または半導体チップとパッケージ用基板22間の内部結線用の端子体として、配線層16上のランド部26に表面が球状の端子体18を固着させてなる半導体装置である。このランド部26が、配線層16上のニッケル層28と端子体18に接する金層32とを有し、両者間に、例えばPd又はPd合金からなり、Niが金層32内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層30が介在している。拡散阻止層30によりNiの上層拡散が阻止され、これによりランド部26表面が酸化されにくくなる一方で、金層32をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばAu-Sn合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、当該半導体チップが固定されたパッケージ用基板と、当該パッケージ用基板に形成され、前記半導体チップの表面に設けられた電極パッドまたは前記半導体チップの裏面に電気的に接続された配線層と、当該配線層上に形成されたランド部と、当該ランド部上に固着された表面が球状の端子体とを備え、前記ランド部が、前記配線層の部分上に形成されたニッケル層と、前記端子体に接する金層とを有する半導体装置であって、前記ニッケル層と前記金層との層間に、前記ニッケル層内のニッケルが前記金層内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層が介在している半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 D
Fターム (4件)：
4M105AA13 ,  4M105AA16 ,  4M105FF05 ,  4M105FF06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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