化合物半導体を用いた青色発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129930
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】操作が容易で適用範囲の広い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法を提供する。【解決手段】三塩化ホウ素(BCl3 )と塩素(Cl2 )を含むエッチングガスを使用した平行平板型プラズマエッチングによりp-Inx Aly Ga1-x-yNおよびn-Inx Aly Ga1-x-y N層を選択的にエッチングし、青色発光ダイオードを製造する方法である。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の窒化ガリウム系半導体から成る第1のクラッド層と、実質的に真性(intrinsic )な窒化ガリウム系半導体から成る活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の窒化ガリウム系半導体から成る第2のクラッド層からなる積層体を形成する工程と、三塩化ホウ素と塩素を含むエッチングガスによって前記第2のクラッド層および前記活性層をエッチングする工程とからなる化合物半導体を用いた青色発光素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , C23F 1/00 102 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01S 3/18

FI (6件)：

H01L 33/00 C , C23F 1/00 102 , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E , H01S 3/18 , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-034929
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057688 出願人：ローム株式会社
特開昭63-136526

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