特許
J-GLOBAL ID：200903055766545321

化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
岡崎 治彦

岡崎 治彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056206
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 歩留まり及び信頼性の向上を図ることができ、さらに、量産性の優れた化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層5と、半導体層5の少なくとも一部の上部に形成された透光性の第1の電極7と、第1の電極7の上部に形成された誘電体膜15とからなる電極部を少なくとも具備するように構成される。
請求項（抜粋）：
p型窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層と、該半導体層の少なくとも一部の上部に形成された透光性の第1の電極と、該第1の電極の上部に形成された誘電体膜とからなる電極部を少なくとも具備することを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (2件)

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