特許
J-GLOBAL ID：200903055772355194
成膜装置および成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317326
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144421
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 被処理体にダメージを与えることなく良好な膜質の金属膜を高い成膜速度で形成することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハWを収容するチャンバー1と、チャンバー1内へ有機金属化合物を供給する有機金属化合物供給系14と、チャンバー1とは別個に設けられたプラズマ生成室17と、プラズマ生成室に水素を供給する水素供給系19と、プラズマ生成室17に電界を印加してプラズマ生成室17に導入された水素をプラズマ化するプラズマ生成手段21と、プラズマ生成室17から前記チャンバーへ水素ラジカルを導く多数の水素ラジカル導入路22と、半導体ウエハWを加熱して有機金属化合物を分解させ、半導体ウエハWに金属膜を堆積させる加熱手段5とから成膜装置が形成される。水素ラジカル導入路22の内壁は絶縁部材23で形成されており、水素ラジカルの消滅が防止される。
請求項（抜粋）：
被処理体を収容するチャンバーと、前記チャンバー内へ有機金属化合物を供給する有機金属化合物供給系と、水素のプラズマを形成するプラズマ生成手段と、形成された水素のプラズマから水素ラジカルを選択的に前記チャンバーに導入する機構と、前記被処理体を加熱して前記有機金属化合物を分解させ、被処理体に金属膜を堆積させる加熱手段とを具備することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 16/18
, C23C 16/455
, H01L 21/285
C23C 16/18
, C23C 16/44 D
, H01L 21/285 C
4K030AA11
, 4K030AA17
, 4K030BA01
, 4K030BA02
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA04
, 4K030FA10
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 4M104BB04
, 4M104DD44
