回転サセプタを用いた低温プラズマエンハンス化学気相成長法による薄膜形成方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-500805
公開番号（公開出願番号）：特表平10-504604
出願日： 1994年12月23日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】プラズマエンハンス化学気相成長により、従来の熱CVDの温度よりかなり低い温度で基板(22)上に成膜するため、基板を反応室(12)内に配置し、第1のガスを基板の前段で励起して、第1のガスの活性化ラジカルを発生する。第2のガスを基板近傍に供給し、第1のガスの活性化ラジカルと混合し、この混合ガスが基板にて表面反応を起こし成膜する。基板の回転により、混合ガスが層流(29)にて基板表面に向かって下方に移動され、再循環やラジカルの再結合を低減する。他の方法では、RFエネルギによりバイアスが印加されたガス分散シャワーヘッド(298)を用いて、基板表面に近接して集中するプラズマ中の活性化ラジカル及びイオンを発生する電極を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマエンハンス化学気相成長による化学気相成長反応室内に配置された基板上への成膜方法であって、化学気相成長反応室内に基板を供給する工程と、上記反応室内に第1のガスを供給し、上記第1のガスを励起して、上記基板近傍に上記第1のガスの活性化ラジカルを発生する工程と、上記基板の上方の上記反応室内に第2のガスを供給して、上記第1のガスのラジカルと混合する工程と、上記基板を回転させ、上記第1のガスのラジカルと上記第2のガスの混合ガスを上記基板の表面に移動させて、上記基板表面での表面反応において上記第1のガスのラジカルが上記第2のガスと反応して、上記基板表面に成膜する工程とを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (16件)

気相成長方法及び気相成長方法による微粒子生成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-278241 出願人：株式会社東芝
特開昭62-253770
原料ガス供給装置及びCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338807 出願人：キヤノン株式会社

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