特許

J-GLOBAL ID：200903055780561224

有機トランジスタ素子

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103638
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の形成を簡便に行うことが可能で、キャリア移動度が高く、リーク電流が低減され、ON/OFF比が高く、ゲート電圧を低くできデバイス性能に優れた有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】大気圧プラズマ法にて形成されたゲート絶縁膜と配向膜に隣接する有機半導体層を有する有機トランジスタ素子。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

大気圧プラズマ法にて形成されたゲート絶縁膜と配向膜に隣接する有機半導体層を有することを特徴とする有機トランジスタ素子。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28

Fターム (40件)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-055997   出願人：株式会社日立製作所
• 有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-185816   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077787   出願人：株式会社リコー