特許

J-GLOBAL ID：200903055794452274

半導体基板上への成膜方法

発明者： ネルソン・ローク・チョウ・サン ,  加々美 健一 ,  佐藤 清志
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-312924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134766
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】CVDリアクタチャンバから汚染物質をクリーニングする方法を与える。【解決手段】CVD反応チャンバを活性酸素種によってクリーニングする方法が与えられる。CVD反応チャンバ内で半導体基板上に炭素含有膜を形成する方法は、CVD反応チャンバを活性酸素種と接触させる工程と、半導体基板をCVD反応チャンバ内に移送する工程と、炭素含有膜を半導体基板上に蒸着する工程と、半導体基板をCVD反応チャンバ外へ移送する工程と、CVD反応チャンバを活性フッ素種と接触させる工程と、から成る。活性酸素種は活性フッ素種と混合されてもよい。活性酸素種はプラズマの生成物であり、それはCVD反応チャンバ内で生成されるか、遠隔的に生成されてCVD反応チャンバ内に導入される。【選択図】図1(a)

請求項（抜粋）：

CVD反応チャンバ内で半導体基板上に炭素含有膜を形成する方法であって、 (a)CVD反応チャンバを活性酸素種と接触させる工程と、 (b)半導体基板を前記CVD反応チャンバ内に移送する工程と、 (c)炭素含有膜を前記半導体基板上に蒸着する工程と、 (d)前記半導体基板を前記CVD反応チャンバ外へ移送する工程と、 (e)前記CVD反応チャンバを活性フッ素種と接触させる工程と、 から成る方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J

Fターム (25件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA36 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AB39 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,352,945号明細書
  
• 米国特許第6,383,955号明細書
  
• 米国特許第6,187,691号明細書
  
• 米国特許出願第2002/0011210A1
  

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置のクリ-ニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320910   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 拡散障壁層およびこれを含む半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-033679   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 被膜作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-159121   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所