特許

J-GLOBAL ID：200903055803297139

半導体装置の製造方法

発明者： 糟谷 良和
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204720
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133712
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 プラグの上方における配線層上部において、窪みの発生を抑えることができる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、以下の工程(a)〜(e)を含む。(a)不純物拡散層34を形成する工程;(b)不純物拡散層34の上に、スルーホール42を有する層間絶縁層40を形成する工程;(c)スルーホール42内にプラグ50を形成する工程;(d)プラグ50および層間絶縁層40の上に、下地層62を形成する工程および(e)下地層62の上に、アルミニウム層64を形成する工程であって、アルミニウム層64は、基板の温度が250°C以上で、かつ、減圧下で形成される工程。

請求項（抜粋）：

以下の工程(a)〜(e)を含む、半導体装置の製造方法。(a)導電層を形成する工程、(b)前記導電層の上に、スルーホールを有する層間絶縁層を形成する工程、(c)前記スルーホール内にプラグを形成する工程、(d)前記プラグおよび前記層間絶縁層の上に、下地層を形成する工程および(e)前記下地層の上に、アルミニウム層を形成する工程であって、前記アルミニウム層は、基板の温度が250°C以上で、かつ、減圧下で形成される工程。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の配線構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-097783   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の配線構造及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-245518   出願人：ソニー株式会社