特許

J-GLOBAL ID：200903055822801689

半導体装置

発明者： 熊沢 鉄雄 ,  三浦 英生 ,  北野 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106842
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293837
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】樹脂モールドを行ってもセルを拘束せずに変形をさせ、メモリ動作を確保する。【解決手段】シリコンウエハ上に誘電体薄膜を形成して多数のキャパシターセルを形作り、薄膜下部から一方の電極,上部から他方の電極を取り出す素子構造において、セルの回りに溝を形成し、上記溝を埋めないで保持した構造、上記溝と上記セルの上部に保護膜を付けた状態でも上記溝が充填されないで溝形状を保持した。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハ上に誘電体薄膜を形成して多数のキャパシターセルを形作り、薄膜下部から一方の電極,上部から他方の電極を取り出す素子構造において、セルの回りに溝を形成し、上記溝を埋めないで保持した構造,上記溝と上記セルの上部に保護膜を付けた状態でも上記溝が充填されないで溝形状を保持した構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/10 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 23/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 27/10 651