半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176033
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027639
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】アモルファス状態のバッファ層等を通して水分が浸入するのを防止でき、長期信頼性のある発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオードにおいて、サファイア基板100上にInAlGaN系材料からなる、バッファ層101,n型コンタクト層102,n型クラッド層103,活性層104,p型クラッド層105,p型コンタクト層106が順に成長形成され、p型コンタクト層106上にp型電極107が形成され、n型コンタクト層102上にn型電極108が形成され、p型電極107とn型電極108の一部を除く全体に絶縁膜109が形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にバッファ層を介して半導体層が積層形成された半導体装置であって、少なくとも前記バッファ層の端面に保護膜を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-236483 出願人：ローム株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064066 出願人：三洋電機株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201306 出願人：豊田合成株式会社

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