特許
J-GLOBAL ID：200903055834472222
横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207630
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055627
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】横型で、かつ、トレンチ構造を有する新規なSBDを提供すること。【解決手段】内部に埋め込み酸化膜層22を有するSOI基板21を使用し、この基板21の一方の主面側から埋め込み酸化膜層22の表面まで、あるいは該埋め込み酸化膜層22を突き抜けてSOI基板21の基体表面まで掘り込んで複数のトレンチ24を形成し、隣接するトレンチ24間に形成される凸状ブロック26には横方向に、前記トレンチ24の側面側から低不純物濃度のn↑-層25内に拡散して高不純物濃度のn↑+層25を形成し、少なくともアノード電極29側となるトレンチ24内にはバリアメタル層28を形成した後、該バリアメタル層28を有するトレンチ24及び凸状ブロック26を介して対向するトレンチ24に、アノード電極29及びカソード電極30をそれぞれ形成して成り、デバイスの電流はSOI基板21の主表面に対して縦方向ではなく横方向に流れる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
低不純物濃度の一導電型を有する半導体基板上に、埋め込み酸化膜層を介して同じく低不純物濃度の一導電型層が積層されたSOI基板と、
該SOI基板上の前記一導電型層を前記埋め込み酸化膜層の表面に至るまで掘り込んで形成した複数のトレンチと、
前記トレンチの対向する内壁に形成した高不純物濃度の一導電型層と、
隣接する前記トレンチ間に形成され、かつ、低不純分濃度の一導電型層と高不純物濃度の一導電型層が横方向に形成された凸状ブロックと、
該凸状ブロックの頂面に形成した酸化膜層と、
前記トレンチのうち、少なくともアノード電極側となるトレンチの内壁、底面及びトレンチ開口部の前記酸化膜端部にオーバラップするように形成したバリアメタル層と、
該バリアメタル層上に形成したアノード電極と、
前記凸状ブロックを介して隣接されたトレンチ内に形成されたカソード電極と、
前記SOI基板の他方の主面側に形成された補助電極と、
を有することを特徴とする横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4M104AA01
, 4M104AA09
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104DD68
, 4M104FF02
, 4M104FF04
, 4M104FF11
, 4M104GG03
