特許
J-GLOBAL ID：200903055854577330
半導体薄膜およびその製造方法並びに磁電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314153
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153460
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 単結晶と同等のキャリヤ移動度を有するInSb薄膜を、容易に且つ安価に直接基板上に均一に形成することにより、広い温度範囲にわたり十分な信頼性をもって適用でき、且つ電気特性ばらつきの小さい半導体薄膜およびその製造方法並びに磁電変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】 Siの結晶からなる基板の表層を除去する工程と、この表層が除去された基板をフッ化水素とフッ化アンモニウムとを含む水溶液に浸漬する工程と、この基板上にAl、Ga、Inから選ばれた少なくとも1つからなる下地層を形成する工程と、この下地層上に少なくともInとSbとを含む予備堆積層を形成する工程と、この予備堆積層上に少なくともInとSbとを含む半導体薄膜を前記予備堆積層の形成開始温度より高い温度で形成する工程を有する。
請求項（抜粋）：
シリコンの結晶からなる基板の表層を除去する工程と、この表層が除去された前記基板をフッ化水素とフッ化アンモニウムとを含む水溶液に浸漬する工程と、この基板上にアルミニウム、ガリウム、インジウムから選ばれた少なくとも1つからなる下地層を形成する工程と、この下地層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む予備堆積層を形成する工程と、この予備堆積層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む半導体薄膜を前記予備堆積層の形成開始温度より高い温度で形成する工程を有する半導体薄膜の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/203
, C23G 1/02
, G01R 33/09
, G01R 33/07
, H01L 21/306
, H01L 43/08
, H01L 43/12
H01L 21/203 Z
, C23G 1/02
, H01L 43/08 S
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
, G01R 33/06 H
, H01L 21/306 D
