特許
J-GLOBAL ID:200903055903746933

固体撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中島 淳 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-395700
公開番号(公開出願番号):特開2002-198508
出願日: 2000年12月26日
公開日(公表日): 2002年07月12日
要約:
【要約】【課題】スメア特性が著しく改善されると共に、駆動電圧、消費電力及びノイズが低減されたCCD型の固体撮像素子を提供する。【解決手段】フォトダイオード14の間を通過するように水平方向に延びた転送電極32は、異なる位相で駆動する電極を狭いギャップ34を介して同一平面状に形成した単層電極で構成されている。転送電極32を単層電極とすることで絶縁膜が不要となり、多層電極構造とする場合に比べて駆動電圧が低下し、消費電力が低減される。また、転送電極32上には、フォトダイオード14の受光領域に受光される光を透過させる開口部40を備え、樹脂材料等の非導電性材料で構成された遮光膜38が、表面保護膜36を介して形成されている。遮光膜を非導電性としたことにより、転送電極32と遮光膜38との間の寄生容量が無視でき、消費電力やノイズを低減することができる。
請求項(抜粋):
複数の光電変換素子を所定間隔で所定方向に配列した光電変換素子列を複数列並列配置し、前記光電変換素子列の各々の間に転送路を配列した固体撮像素子であって、前記光電変換素子間を通過して前記所定方向と交差する方向に延び、且つ前記転送路に沿って前記光電変換素子で発生した信号電荷を転送するように所定のギャップを介して配列された複数の単層電極と、該単層電極の上方に形成され、前記光電変換素子の受光領域に受光される光を透過する光透過部が設けられた非導電性遮光膜と、を備えた固体撮像素子。
IPC (2件):
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (3件):
H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
Fターム (27件):
4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA19 ,  4M118CA20 ,  4M118DA12 ,  4M118DA18 ,  4M118DB07 ,  4M118FA07 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB10 ,  4M118GB13 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  5C024CX03 ,  5C024CX13 ,  5C024CY42 ,  5C024GX03 ,  5C024GX22 ,  5C024GY02 ,  5C024GY04
引用特許:
審査官引用 (12件)
  • 固体撮像装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-253806   出願人:株式会社東芝
  • 特開昭52-123823
  • 固体撮像素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-272416   出願人:ソニー株式会社
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