特許

J-GLOBAL ID：200903055938305000

半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置

発明者： 経田 昌幸 ,  佐藤 武敏 ,  板谷 秀治 ,  佐野 敦 ,  橋場 祥晶
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288060
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057133
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】 HClを発生させることなく、均質かつコンフォーマルなシリコン酸化膜を形成することを可能にする。【解決手段】 搬送手段65を用いてウェハ(基板)1を処理室52内に搬入する。搬入後、第1供給系61を用いて処理室52内にSi2Cl6(HCD)を含む第1反応物質を供給しつつ排気系64から排気する。第3供給系63を用いて処理室52内に不活性ガスを供給して残留した第1反応物質を排気系64から排除する。その後、第2供給系62を用いて処理室52内に水素原子を含まず酸素原子を含む第2反応物質を供給しつつ排気系64から排気する。第3供給系63を用いて処理室52内に不活性ガスを供給して残留した第2反応物質を排気系64から排除する。これらの一連のプロセスを制御装置9を用いて複数回繰り返すことにより、ウェハ(基板)1上にSiO2膜を所定厚さ堆積させる。堆積後、搬送手段65を用いてウェハ1を処理室52内から搬出する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

排気可能に構成された処理室内に少なくとも1枚の基板を搬入する工程と、 前記処理室内にSi2Cl6を含む物質と、水素原子を含まず酸素原子を含む物質とを供給して前記基板の上にSiO2膜を堆積させる工程と、 前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、 を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/316

FI (1件)：

H01L21/316 X

Fターム (6件)：

5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVD法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182127   出願人：セイコーエプソン株式会社
• トリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-283361   出願人：三星電子株式会社
• 基板処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-244730   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス