特許
J-GLOBAL ID：200903055938706594

半導体チップおよびその製造方法、半導体装置、コンピュータ、回路基板ならびに電子機器

発明者：
橋元 伸晃

橋元 伸晃 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241617
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068618
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 インターポーザを介することなく積層可能であり、積層した半導体チップをその大きさに関係なく電気的に接続できる半導体チップおよびその製造方法、半導体装置、コンピュータ、回路基板ならびに電子機器を提供すること。【解決手段】 半導体チップ10a、10b、10cの電極12a、12b、12cの直下の部分を穿孔して接続孔を設ける。この接続孔の内周面に絶縁膜を形成した後、接続孔の内部に導電材16a、16b、16cを形成する。そして、導電材を下方にある電極、例えば、導電材16aならば電極12bに瀬戸属することにより、半導体チップ同士の電気的接続ができる。
請求項（抜粋）：
電極が形成されてなる半導体チップにおいて、前記半導体チップの一方の面に形成されてなる前記電極と、他方の面に形成されてなる導電材と、が前記半導体チップを貫通して設けられる接続孔を介して接続してなることを特徴とする半導体チップ。
IPC (7件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L 25/08 B ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/60 311 Z ,  H01L 21/88 J ,  H01L 29/44 B
Fターム (11件)：
4M104BB03 ,  4M104BB09 ,  4M104DD06 ,  4M104DD51 ,  4M104FF02 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F044RR03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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