スナバ回路、そのスナバ回路を用いたスイッチング電源、及びサージ電圧吸収方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-285248
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】高効率でサージ電圧が発生しないフライバック型スイッチング電源を提供する。【解決手段】コンデンサ7とMOSFET素子3とを直列接続した回路をフライバック型のスイッチング電源2の一次巻線31と並列に接続し、MOSFET素子3のゲート端子を補助巻線4の一端に接続する。補助巻線と一次巻線との磁気結合は、半導体スイッチング素子9が遮断状態にあるときにMOSFET素子3が導通できる極性にする。半導体スイッチング素子3が遮断状態にあるとき、先ず、MOSFET素子3が第3象限動作をしてリーケージインダクタンスに蓄積されたエネルギーでコンデンサ7を充電し、次いで、そのコンデンサ7を放電させて一次巻線31に電流を流し、蓄積されたエネルギーを二次側に移行させる。効率が高く、サージ電圧が発生しない。

請求項（抜粋）：

トランスと、該トランス内の一次巻線と直列接続された半導体スイッチング素子とを有し、前記半導体スイッチング素子が導通状態と遮断状態とを繰り返し、前記一次巻線に断続的に電流が流れ、トランス内の二次巻線に電圧が誘起される際、前記半導体スイッチング素子が遮断状態にあるときに前記二次巻線に電流が流れるように構成されたスイッチング電源に使用されるスナバ回路であって、該スナバ回路は、サージ電圧吸収用コンデンサと、MOSFET素子と、補助巻線とを有し、前記サージ電圧吸収用コンデンサと前記MOSFET素子とが直列接続された回路が前記一次巻線と並列接続され、前記補助巻線の一端は前記半導体スイッチング素子と前記一次巻線とが接続されたところに接続され、他端は前記MOSFET素子のゲート端子に接続され、前記半導体スイッチング素子が遮断状態にあるときに、前記補助巻線の両端に前記MOSFET素子が導通できる電圧が誘起されるように前記補助巻線と前記一次巻線とが磁気結合されたことを特徴とするスナバ回路。

IPC (2件)：

H02M 3/28 , H02M 1/00

FI (2件)：

H02M 3/28 R , H02M 1/00 F

引用特許：

出願人引用 (6件)

電源回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-408904 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-101663
スイッチング電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-139652 出願人：サンデン株式会社

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審査官引用 (8件)

電源回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-408904 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-101663
スイッチング電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-139652 出願人：サンデン株式会社

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