特許

J-GLOBAL ID：200903055960591040

放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ドミニク アイゼルト ,  フォルカー ヘルレ ,  フランク キューン ,  マンフレート ムントブロート-ヴァンゲロフ ,  ウーヴェ シュトラウス ,  ウルリッヒ ツェーンダー ,  ヨハネス バウル ,  ウルリヒ ヤーコプ ,  エルンスト ニルシュル ,  ノルベルト リンダー ,  ラインハルト ゼドルマイアー
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-560458
公開番号（公開出願番号）：特表2003-523636
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月05日
要約：

【要約】本発明は、放射線を発する活性層(5)を有する多層構造体(4)、放射線透過性のウィンドウ(1)を備え、このウィンドウ(1)は第1の主要面(2)及び前記の第1の主要面(2)とは反対側の第2の主要面(3)を有し、このウィンドウ(1)の第1の主要面(2)は多層構造体(4)に隣接している、放射線を発する半導体デバイスを記載する。ウィンドウ(1)内には少なくとも1つの切欠部(8)が形成されており、この切欠部(8)は有利に第2の主要面の凹陥部として又は周縁の切欠部として構成されている。このウィンドウ(1)又は切欠部(8)の少なくとも1つの側面は、少なくとも部分的にコンタクト面(11)を備えている。これとは別に又はこれと組み合わせて、デバイスの少なくとも1つのコンタクト面は多数の開口部(14)を有する。

請求項（抜粋）：

放射線を発する活性層(5)を有する多層構造体(4)と、放射線透過性のウィンドウ(1)とを備え、このウィンドウ(1)は第1の主要面(2)及び第1の主要面と反対側の第2の主要面(3)を有し、かつこのウィンドウ(1)の第1の主要面(2)は多層構造体(4)と隣接しており、かつ前記のウィンドウ(1)は第1の主要面(2)に対して傾斜して延びる、放射線を外部へ放射する面の形成のために少なくとも1つの切欠部(8)を有している、放射線を発する半導体デバイスにおいて、ウィンドウ又は前記の切欠部の、第2の主要面(3)に隣接する少なくとも1つの側面が少なくとも部分的に第1のコンタクト面(11)を備えていることを特徴とする、放射線を発する半導体デバイス。

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-099266
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236483   出願人：ローム株式会社
• 炭化ケイ素発光ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166889   出願人：三洋電機株式会社
• LED素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-046493   出願人：松下電工株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-267857   出願人：日亜化学工業株式会社