エッチング処理装置及びその加熱方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：沼形義彰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093782
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【構成】半導体素子にエッチング等の処理を施す際、エッチング速度を常に一定の値に維持する方法の中で、特にエッチング処理装置の加熱方法にかかり、被加熱材料であるエッチング処理室の内壁を効率良く高温に加熱するエッチング処理装置及びその加熱方法を提供することにある。【解決手段】ウエハ5にエッチング等のプラズマ処理を行う際、エッチング等の処理を行う前にエッチングチャンバ8内の石英板(2)13を、エッチングチャンバ8の真空外に配置した加熱用ランプ10によって、100°C以上に加熱する処理を行う。この処理によって、ロット内におけるエッチング初期のエッチング速度の低下を防止することが可能となり、エッチング速度の変動が少ない装置を提供することが出来る。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生装置と、減圧可能な真空容器と、真空容器にガスを供給するガス供給装置と、プラズマ処理を施すウエハを保持するウエハ台と、ウエハ台上に支持されたウエハに高周波を印加する装置と、真空排気装置より成るエッチング処理装置において、エッチング処理室のプラズマに接する内表面を、エッチング処理室外部に配置したランプヒーターを熱源として加熱することを特徴とするエッチング処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/26 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23F 4/00 D , H05H 1/46 A , H05H 1/46 C , H01L 21/302 B , H01L 21/26 G

Fターム (12件)：

4K057DA19 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DM03 , 4K057DM29 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BB29 , 5F004BB32 , 5F004CA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304062 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-037934 出願人：アネルバ株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-225578 出願人：株式会社日立製作所

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