特許
J-GLOBAL ID：200903099441848740

プラズマ処理装置

発明者：
野上 裕

野上 裕 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235972
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 チャンバーの誘電体部分に光吸収層を密着形成して、この光吸収層に加熱ランプの光エネルギーを吸収させることによって、チャンバーを加熱する。【解決手段】 石英ガラス製のソースチャンバー24の周囲に1対の環状アンテナ34があり、これらを石英ガラス製のカバー36が取り囲んでいる。ソースチャンバー24の大気側の表面には光吸収層50が密着形成され、赤外線ランプ44からの赤外線が光吸収層60に吸収されてソースチャンバー24が200°Cに加熱される。磁場発生コイル46で磁場を発生させるとともに、アンテナ34にヘリコン波励起電場を印加すると、ソースチャンバー24の内部にヘリコン波プラズマが発生する。フロロカーボンガスを使用してシリコン酸化膜をエッチングする場合に、加熱されたソースチャンバー24の内壁面への堆積がなくなり、この堆積膜の剥離に起因するプラズマ中の微小パーティクルが少なくなる。
請求項（抜粋）：
次の構成を有するプラズマ処理装置。(イ)少なくとも一部が誘電体で作られた真空排気可能なチャンバー。(ロ)前記チャンバーの誘電体部分の大気側に配置されたアンテナ。(ハ)前記チャンバー内にプラズマを発生させるために前記アンテナに交番電力を供給する電源。(ニ)前記誘電体部分の大気側に配置された加熱ランプ。(ホ)前記誘電体部分に密着形成された光吸収層であって、前記誘電体部分を構成する材料よりも光吸収率が大きくて、かつ、電気絶縁物質からなる光吸収層。(ヘ)プラズマ処理される被処理体を前記チャンバーの内部で保持する被処理体ホルダー。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L
Fターム (33件)：
4K057DD03 ,  4K057DD10 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DG20 ,  4K057DM22 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004BA20 ,  5F004BB02 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F045AA00 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AF01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH16
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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