LED装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124556
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319705
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】発光面の輝度の均一化と内部量子効率の向上を図り、更にLEDチップからの光取り出し効率を向上させたLED装置を提供することにある。【解決手段】p側電極7、n側電極6はLEDチップ1の半導体層形成側チップ面内において交互に略等間隔に配列した並行な直線部を有した電極6,7で並行電極部を構成し、同じ半導体層側に属する電極6,6同士及び7,7同士は、LEDチップ1上に設けた導電部13,14によりそれぞれ電気的に接続され、LEDチップ1上の対向する1組の隅部に位置する電極6,7の端部に形成した給電部15,16により給電するされるようになっており、各電極6,7及び給電部15,16を例えばAl蒸着により形成している。そして幅広な電極6,7を形成することで各電極6,7が半導体層形成側チップ面から放射される光の光反射部として機能することになる。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に形成されたp形半導体層とn形半導体層の各々に接続する電極を半導体層側のチップ面に設け、フェースダウンの状態で実装基板に対して実装される1つのLEDチップの発光面全体を略均一に点灯させるように発光部位が形成されるようにp側電極及びn側電極を形成配置するとともに、上記チップ面若しくは実装状態のLEDチップに近接する領域に、発光による光を光取り出し方向に反射する光反射部を設けたことを特徴とするLED装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 23/48

FI (4件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 33/00 N , H01L 23/48 Y

Fターム (16件)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA93 , 5F041CA94 , 5F041DA02 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA19 , 5F041DA35 , 5F041DA36 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-194224 出願人：ローム株式会社
発光デバイスのための電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-331422 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク
フリップチップ型光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-141873 出願人：日亜化学工業株式会社

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