特許
J-GLOBAL ID：200903056008986011

半導体装置及びその製造方法

発明者：
照井 誠

照井 誠 について

, 
田中 康雄

田中 康雄 について

, 
野口 高

野口 高 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-339332
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172542
出願日： 2002年11月22日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【目的】改善された熱放射効果を有し、より生産性の優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置900は、半導体基板101を有する。半導体基板101の裏面309の周辺領域903を除く中央領域901には熱放射膜911が設けられている。この熱放射膜911は、高い熱放射率を有するため、半導体基板101に形成された電子回路が動作することによって発生する熱は、放熱部品を搭載することなく、半導体装置900の外部へ効率的に放射される。また、この熱放射膜911は、既存のWCSPの製造プロセスと同様な製造プロセスで形成することができるため、半導体装置の製造コストを殆ど上昇させることなく、薄型、軽重量というWCSPの特徴を維持したまま熱抵抗を減少させることができる。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
回路素子が形成された第1の主表面と、前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と、前記第1の主表面と前記第2の主表面との間の複数の側面とを有する半導体基板と、 前記第1の主表面上部に形成され、前記回路素子と電気的に接続された複数の外部端子とを備えた半導体装置であって、 前記第2の主表面は、中央領域及び前記中央領域を囲む周辺領域を有し、前記周辺領域を除く前記中央領域に熱放射膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L23/34 ,  H01L23/12
FI (2件)：
H01L23/34 A ,  H01L23/12 501C
Fターム (4件)：
5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BD01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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