特許
J-GLOBAL ID：200903056009387693

ウエーハ転写検証方法

発明者：
登山 伸人

登山 伸人 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130264
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328459
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を考慮した、ウエーハ転写検証方法を提供する。これにより、フォトマスク製造誤差やウエーハ転写時のデフォーカス起因の変形を設計データの段階で検証することを可能としようとする。【解決手段】 処理対象のパタンデータに対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し、元の処理対象のパタンデータと、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータと、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータとに対し、予め用意されたシミュレーションモデルを参照として使用し、ゼロデフォーカスのウエーハ露光条件で、あるいは、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、得られた結果よりウエーハ転写性を検証する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の回路に合せて設計された設計データないし設計データにOPCを適用したデータ等のフォトマスク作製用のパタンデータを処理対象のパタンデータとし、処理対象のパタンデータよりフォトマスクを作製せずに、データの段階で、処理対象のフォトマスクを作製した場合におけるウェーハへの転写性を検証する方法であって、処理対象のパタンデータに対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し、元の処理対象のパタンデータと、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータと、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータとに対し、予め用意されたシミュレーションモデルを参照として使用し、ゼロデフォーカスのウエーハ露光条件で、あるいは、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、得られた結果よりウエーハ転写性を検証するもので、且つ、前記シミュレーションモデルは、テストパタンデータをもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスクを用い、ゼロデフォーカスの露光条件で、あるいは、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない、更に転写された所定のパタンを測長し、各ウエーハ露光条件について、1連の、テストパタンデータ、フォトマスク、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群であることを特徴とするウエーハ転写検証方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 Z
Fターム (7件)：
2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046DA13 ,  5F046DB05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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