特許

J-GLOBAL ID：200903056012219980

多結晶絶縁膜及びその製造方法

発明者： 中村 亘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342563
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174010
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 多結晶絶縁膜及びその製造方法に関し、強誘電体膜中の厚さ方向に単一の巨大グレインが発生することを抑止して、最表面に於ける凹凸を小さくして膜厚を均一化し、例えば強誘電体膜を用いたキャパシタの絶縁耐圧を向上しようとする。【解決手段】 膜厚方向に不連続線(或いは面)13Aが生成されている結晶で構成されたSrBi2 Ta2 O9 からなる強誘電体膜13を特徴とする。

請求項（抜粋）：

膜厚方向に不連続である結晶で構成されたことを特徴とする多結晶絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (16件)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124769   出願人：沖電気工業株式会社
• 強誘電体薄膜、誘電体薄膜及び強誘電体薄膜を含む集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-225251   出願人：シャープ株式会社
• 特表平7-502149