特許
J-GLOBAL ID：200903056034458520
化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001424
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191055
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】化合物半導体に対して、良好なオーミック特性とショットキー特性を有する電極を有する化合物半導体装置を提供する。【構成】化合物半導体基板上に積層された5層構造の電極を具備し、第1の高融点金属層と第3の高融点金属層の間に、当該第3の高融点金属層を構成する成分の、上記化合物半導体への拡散を防止し得る第2の高融点金属層を介在させる。【効果】化合物半導体に対して良好なオーミック特性およびショットキ特性を有する電極が容易に得られる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に順次積層して形成された、上記化合物半導体基板とオーミック接続する所定の形状を有する第1の高融点金属層、第2の高融点金属層、第3の高融点金属層、第4の高融点金属層および低抵抗導電体層からなる電極を具備し、上記第2の高融点金属層は、上記第3の高融点金属層を構成する成分の上記半導体基板への拡散を防止する機能を有していることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, H01L 29/872
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 29/48 M
, H01L 29/48 H
, H01L 29/72
