特許
J-GLOBAL ID:200903056040508954

液晶表示素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 斎藤 栄一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-181774
公開番号(公開出願番号):特開平10-062767
出願日: 1997年06月23日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】 下部基板上の電極配線とカウンタ電極の間に縁電界が生じないように、画素電極配線、及びカウンタ電極上に伝導性を帯びる高分子膜パターンを形成して、縁電界無しの均一な平行な電界を形成させることにより、液晶表示素子の透過率を改善することができ、更に、液晶表示素子の消費電力を減らすことができる液晶表示素子及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明による液晶表示素子は、画素電極とカウンタ電極が同一基板上に形成された液晶表示素子であって、前記画素電極と前記カウンタ電極が上部に形成され、更にその上には所定の厚さの伝導性高分子膜の形成された第1透過性基板と、前記第1透過性基板と対向する第2透過基板とが、前記第1透過性基板と前記第2透過性基板との間に介在した陰(-Δε)の異方性誘電率を持つ液晶を含むことを特徴とする。
請求項(抜粋):
画素電極とカウンタ電極が同一基板上に形成された液晶表示素子であって、前記画素電極と前記カウンタ電極がそれらの表面の上部に形成され、その上には所定の厚さの伝導性高分子膜が形成された第1透過性の絶縁基板と、前記第1透過性の基板と対向する第2透過基板と対向する第2透過性基板と、前記第1透過性基板と前記第2透過性の基板の間に介在した陰の異方性誘電率を持つ液晶を含むことを特徴とする液晶表示素子。
IPC (2件):
G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343
FI (2件):
G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • アクティブマトリクス型液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-033341   出願人:株式会社日立製作所
  • 液晶素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-247198   出願人:キヤノン株式会社
  • 液晶素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-247199   出願人:キヤノン株式会社
全件表示

前のページに戻る