特許
J-GLOBAL ID：200903056059469232

シリコンウェーハの製造方法およびその装置

発明者：
田中 恵一

田中 恵一 について

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加賀谷 修

加賀谷 修 について

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畠中 徹

畠中 徹 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

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三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089784
公開番号（公開出願番号）：特開平9-248740
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 特に1Gビット以上の半導体デバイスに要求される高平坦度のシリコンウェーハを作製できるとともに、ラップ工程を無くし、エッチングでの取り代を減らして、研磨量も低減する、ウェーハの製造方法および装置を提供する。【解決手段】 スライス後のシリコンウェーハをキャリアー14の円孔15に挿入し、上側砥石13と下側砥石12との間にシリコンウェーハを挟み込み、上側砥石13および下側砥石12をそれぞれ所定速度で回転させる。これにより、シリコンウェーハの両面を同時に研削する。この際、上側砥石13は所定荷重でシリコンウェーハを押圧しながら例えば100μm降下させる。また、研削液を上側砥石13の開口部13Bへ供給し、ウェーハの温度を一定に制御する。前記供給された研削液は、上・下側砥石13,12の遠心力により各砥石13,12の研削面の溝を通ってシリコンウェーハの両面の全域に常時供給される。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶棒をスライスしてシリコンウェーハを作製するスライス工程と、このシリコンウェーハの表裏面を同時に研削する両面同時研削工程とを備えたシリコンウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
B24B 1/00 ,  B24B 7/17 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
B24B 1/00 A ,  B24B 7/17 Z ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E
引用特許：
審査官引用 (27件)
  • 特開平2-190244
  • 特開平2-190244
  • 特開平2-250771
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