固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186709
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015725
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】偽信号の低減と、映像信号のS/N比向上を図り、SOCを可能とし、プロセス的な負荷の低減と製造コストの削減を図る。【解決手段】半導体墓板11上に光電変換領域14を有する光電変換部101と、論理回路部106とが形成され、光電変換領域14で発生した電荷による電位変化を出力する固体撮像装置であって、論理回路部106を覆う遮光層20と、前記光電変換領域14に対する光線入射領域を規定する遮光膜24とが設けられ、この遮光膜24が、光線入射方向における前記遮光層20と前記光電変換領域14との中間に位置する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に光電変換領域を有する光電変換部と、論理回路部とが形成され、前記光電変換領域で発生した電荷による電位変化を出力する固体撮像装置であって、論理回路部を覆う遮光層と、前記光電変換領域に対する光線入射領域を規定する遮光膜とが設けられ、この遮光膜が、前記遮光層よりも前記半導体基板に近づいた位置に設けられることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 D , H04N 5/335 V

Fターム (25件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA33 , 4M118FA42 , 4M118GB03 , 4M118GB07 , 4M118GB11 , 4M118GB13 , 4M118GB17 , 4M118GB19 , 4M118GC01 , 4M118GC08 , 5C024AA01 , 5C024CA05 , 5C024CA31 , 5C024FA01 , 5C024GA01 , 5C024GA11 , 5C024GA31 , 5C024GA51 , 5C024JA04

引用特許：

審査官引用 (8件)

固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238333 出願人：ソニー株式会社
受光素子を有する半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-149132 出願人：ソニー株式会社
特開平3-044071

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