特許

J-GLOBAL ID：200903056157520831

半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置

発明者： 八木 茂
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-127822
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300001
出願日： 2006年05月01日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】有機材料を含む基材上へも形成可能であり、光導電特性や機械的特性、耐酸化性等に優れると共にこれらの特性が経時的にも安定して維持できる半導体膜を提供すること。【解決手段】基材上に形成され、13族元素と窒素と15原子%以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材上に形成され、13族元素と窒素と15原子%以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  G03G 5/147 ,  G03G 5/06 ,  H01L 31/026

FI (4件)：

H01L21/205 ,  G03G5/147 501 ,  G03G5/06 ,  H01L31/08 M

Fターム (30件)：

2H068AA02 ,  2H068AA21 ,  2H068CA60 ,  2H068EA24 ,  2H068FA01 ,  2H068FA27 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045CA13 ,  5F045CA16 ,  5F045DA68 ,  5F045EF05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F045EH15 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AB01 ,  5F088BA10 ,  5F088BA11 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開平10-0455404号公報
  
• 電子写真感光体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-125616   出願人：京セラ株式会社, 京セラミタ株式会社
• 特開2-110470号公報
  
• 堆積膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-208410   出願人：キヤノン株式会社
• 非単結晶光半導体およびその製造方法ならびに電子写真感光体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-351818   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 電子写真感光体、および、それを用いた電子写真装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-215386   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (1件)

• 特開平3-281779