特許
J-GLOBAL ID：200903056167469737
多層配線基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298800
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111204
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】多層配線基板のアライメントマーク部分にキズがある場合でも、位置あわせ精度を向上させることのできるアライメントマークを形成した多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】第一の配線層が形成された絶縁基板上に、絶縁層を形成する工程、絶縁層をレーザー加工し3つ以上の円が、その中心が円周上に配置されるようにアライメントマーク用の孔を形成する工程、前記絶縁層にバイアホール用の孔を形成する工程、前記絶縁層上にアライメントマーク用孔を含むようにめっきによって導体層を形成する工程、前記導体層上にレジスト層を形成しマスクを用い前記複数の円から3つ以上の円のみを選択し、前記円周の円の中心座標を算出しその中心座標で位置あわせし露光を行う工程、レジスト層の現像を行う工程、導体層をエッチングし、配線を形成する工程、の各工程を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(a)第一の配線層が形成された絶縁基板上に、絶縁層を形成する工程。(b)絶縁層をレーザー加工し、少なくとも3つ以上の円あるいは正多角形が、その中心が円周上に配置されるように、アライメントマーク用の孔を形成する工程。(c)(b)の工程と同時にあるいは別工程で、前記絶縁層にバイアホール用の孔を形成する工程。(d)前記絶縁層上に、アライメントマーク用孔及びバイアホール用孔を含むように、めっきによって導体層を形成する工程。(e)前記導体層上にレジスト層を形成し、マスクを用い、前記複数の円あるいは正多角形から、同形状あるいは近似した3つ以上の円あるいは正多角形のみを選択し、これらから前記円周の円の中心座標を算出し、その中心座標で位置あわせし、露光を行う工程。(f)レジスト層の現像を行う工程。(g1)レジストから露出した導体層をエッチングし、配線を形成する工程。もしくは、(g1)工程に代えて、(g2)レジストから露出した導体層上にめっきを行い、レジストを剥離し、ソフトエッチングを行うことにより配線を形成する工程。の各工程を行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 1/02
, H05K 3/00
H05K 3/46 B
, H05K 1/02 R
, H05K 3/00 P
5E338AA03
, 5E338BB02
, 5E338BB12
, 5E338BB25
, 5E338BB28
, 5E338CC01
, 5E338CD11
, 5E338DD11
, 5E338DD32
, 5E338EE32
, 5E338EE33
, 5E338EE42
, 5E346AA60
, 5E346CC32
, 5E346CC55
, 5E346DD12
, 5E346DD23
, 5E346EE17
, 5E346EE33
, 5E346GG22
, 5E346HH26
