特許
J-GLOBAL ID:200903056183098862

面発光型半導体レーザ素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-102300
公開番号(公開出願番号):特開2000-294874
出願日: 1999年04月09日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 光ファイバ伝送に適した波長でレーザ光を発振し、温度特性に優れ、動作電圧の低い面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本レーザ素子100は、活性層16を含む化合物半導体層の積層構造で形成された柱状部を備え、柱状部の反対側からInP基板10に対して直交方向にレーザ光を放出する。柱状部の活性層の側面に、FeドープInP層20を介して外部雰囲気に露出面を有するAuメッキ層に接続されたTi/Pt/Au積層金属層30が形成されている。
請求項(抜粋):
活性層を含む化合物半導体層の積層構造で形成された柱状部を備え、半導体基板に対して直交方向にレーザ光を放出する面発光型半導体レーザ素子において、少なくとも、柱状部の側面が、金属層に接触していることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
Fターム (12件):
5F073AA53 ,  5F073AA61 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA12 ,  5F073CB11 ,  5F073CB19 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA29
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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