特許

J-GLOBAL ID：200903056213371038

基板処理装置

発明者： 城戸 秀作 ,  飯尾 善秀 ,  池田 雅樹
出願人/特許権者： 鹿児島日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216877
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158054
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】リフロー距離Lを所望の値に正確に制御することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】チャンバー101内に導入されたガスは、ガス吹き出し板21に形成された開口211を通って基板1に吹き付けられる。ガス吹き出し板21により、ガスは均一に基板1に吹き付けられるため、基板1の全面に渡ってリフロー距離Lを精度良く制御することができる。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、ガス分配手段と、を備え、前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、前記ガス分配手段は、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものである基板処理装置。

Fターム (3件)：

5F046JA22 ,  5F046KA10 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-060726
  
• 高周波プラズマ発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-215146   出願人：株式会社アドテック
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-130767   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-032279   出願人：富士通株式会社